IPD055N08NF2S
アクティブ
RoHS対応

IPD055N08NF2S

StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in DPAK
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPD055N08NF2S
IPD055N08NF2S
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    98 A
  • ID (最大)
    98 A
  • IDpuls (最大)
    392 A
  • Ptot (最大)
    107 W
  • QG (typ @10V)
    36 nC
  • QG
    36 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    5.5 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.58
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPD055N08NF2SATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 5.5 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency. Compared to the previous technology the IPD055N08NF2S achieves 40 percent lower RDS(on) and over 50 percent Qg improvement.

特長

  • Availability from distribution partners
  • Excellent price/performance ratio
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Industry standard footprint package
  • High current rating
  • Capable of wave-soldering

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Right-fit products
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard pinout for drop-in replacement
  • Increased current carrying capability
  • Ease of manufacturing

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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