Active and preferred
RoHS準拠

IPD052N10NF2S

StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in DPAK
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPD052N10NF2S
IPD052N10NF2S
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    118 A
  • ID max
    118 A
  • IDpuls max
    472 A
  • Ptot max
    150 W
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) max
    5.2 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    5.2 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.66
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPD052N10NF2SATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V features low RDS(on) of 5.2 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency. Compared to the previous technology the IPD052N10NF2S achieves 40 percent lower RDS(on) and over 50 percent Qg improvement.

機能

  • Availability from distribution partners
  • Excellent price/performance ratio
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Industry standard footprint package
  • High current rating
  • Capable of wave-soldering

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Right-fit products
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard pinout for drop-in replacement
  • Increased current carrying capability
  • Ease of manufacturing

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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