IPB013N10NM8
Active and preferred
RoHS対応

IPB013N10NM8

OptiMOS™ 8パワーMOSFET 100 Vノーマルレベル、 D2PAKパッケージ
データシート
パッケージ

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IPB013N10NM8
IPB013N10NM8
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    179 A
  • IDpuls (最大)
    716 A
  • Ptot (最大)
    500 W
  • QG (typ @10V)
    255 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.38 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.4 V～3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPB013N10NM8ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

特長

  • 非常に低いオン抵抗RDS(on)
  • 高いID電流定格
  • ばらつきの少ないVGS(th)
  • 穏やかなボディ ダイオード回復と低Qrr
  • 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
  • 鉛フリーの端子メッキ、RoHS指令に準拠
  • IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー
  • J-STD-020の吸湿耐性水準 (MSL) 1適合
  • Nチャネル、ノーマルレベル

利点

  • 価格性能比に優れた技術
  • 最小レベルの伝導損失
  • 優れた電流共有
  • 優れたスイッチング性能を持つソフトボディダイオード
  • 使いやすさ
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ