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RoHS準拠
鉛フリー

IMZA120R030M1H

CoolSiC™ 1200 V, 30 mΩ SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMZA120R030M1H
IMZA120R030M1H
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    2160 pF
  • Coss
    99 pF
  • ID (@25°C) max
    70 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    273 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG
    52 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    30 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.55 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1200 V
  • Package
    TO-247-4
  • Pin Count
    4 Pins
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Mounting
    THT
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
推奨
OPN
IMZA120R030M1HXKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ 1200 V, 30 mΩ SiC MOSFET in TO-247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages. These include, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic. CoolSiC™ MOSFETs are ideal for hard- and resonant-switching topologies like power factor correction (PFC) circuits, bi-directional topologies and DC-DC converters or DC-AC inverters.
Our SiC MOSFET in TO-247 4-pin package reduces parasitic source inductance effects on the gate circuit enabling faster switching and increased efficiency.

機能

  • Best in class switching losses
  • Best in class conduction losses
  • Benchmark high threshold voltage
  • Vth > 4 V
0V turn-off gate voltage applicable
  • Wide gate-source voltage range
  • Robust diode for hard commutation
  • Temp. ind. turnoff switching losses
  • .XT interconnection technology

    • ドキュメント

    ドキュメント

    デザイン リソース

    パートナー ソリューション

    開発者コミュニティ

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