IMZA120R030M1H
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IMZA120R030M1H

CoolSiC™ 1200 V, 30 mΩ SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IMZA120R030M1H
IMZA120R030M1H
個.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    2160 pF
  • Coss
    99 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    70 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    273 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG
    52 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    30 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.55 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    1200 V
  • パッケージ
    TO-247-4
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
OPN
IMZA120R030M1HXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The CoolSiC™ 1200 V, 30 mΩ SiC MOSFET in TO-247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages. These include, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic. CoolSiC™ MOSFETs are ideal for hard- and resonant-switching topologies like power factor correction (PFC) circuits, bi-directional topologies and DC-DC converters or DC-AC inverters.
Our SiC MOSFET in TO-247 4-pin package reduces parasitic source inductance effects on the gate circuit enabling faster switching and increased efficiency.

特長

  • Best in class switching losses
  • Best in class conduction losses
  • Benchmark high threshold voltage
  • Vth > 4 V
0V turn-off gate voltage applicable
  • Wide gate-source voltage range
  • Robust diode for hard commutation
  • Temp. ind. turnoff switching losses
  • .XT interconnection technology
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }