IMT40R036M2H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMT40R036M2H

CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 in TOLL (PG-HSOF-8) package, 36 mΩ
データシート
パッケージ
ボード
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IMT40R036M2H
IMT40R036M2H
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    50 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    46.8 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    36 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.9 K/W
  • VDS (最大)
    400 V
  • パッケージ
    TOLL
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMT40R036M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • Better FOMs compared to 650 V SiC MOSFETs
  • Fast commutation robust diode with low Qfr
  • Low RDS(on) temperature dependency
  • Gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V
  • Support for unipolar driving (VGSoff=0)
  • 100% avalanche tested
  • High controllability of switching speed
  • Low overshoot during high dV/dt operation
  • .XT interconnection technology
  • Best-in-class thermal performance

利点

  • High system efficiency
  • High power density designs
  • High design robustness
  • Reduced EMI filtering
  • Use in hard-switching topologies
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }