新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IMBG65R107M1H

SiC MOSFET in compact SMD package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMBG65R107M1H
IMBG65R107M1H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    47 A
  • Ptot max
    110 W
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    107 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    D2PAK 7-pin
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
OPN
IMBG65R107M1HXTMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device performance, robustness, and ease of use. The IMBG65R107M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is a compact SMD 7 pin SiC MOSFET built on a state-of-the-art Infineon SiC trench technology and used in mid power applications. It is optimized to enable max system performance, compactness and reliability.

機能

  • 1st generation CoolSiC™
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • negligable Qrr
  • flat COSS
  • flat RDS(on) over temperature

利点

  • higher efficiency in hard switching
  • higher efficiency in soft switching
  • hard commutation on body diode
  • high reliability
  • Kelvin source
  • Kelvin source

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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