IKW50N65H5
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IKW50N65H5

650 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IKW50N65H5
IKW50N65H5
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.18 mJ
  • Eon
    0.52 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    56 A
  • IC (@ 25° ) (最大)
    80 A
  • ICpuls (最大)
    150 A
  • IF (最大)
    40 A
  • IFpuls (最大)
    150 A
  • Irrm
    16.7 A
  • Ptot (最大)
    305 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    570 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    180 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    18 ns
  • tr
    15 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    30 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKW50N65H5FKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
High Speed 650 V , 50 A hard-switching TRENCHSTOP™IGBT5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to HighSpeed 3 family:
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduction in VCE(sat)
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild positive temp. coefficient
  • Temperature stability of Vf

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }