Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IKW50N65H5

650 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

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IKW50N65H5
IKW50N65H5

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.18 mJ
  • Eon
    0.52 mJ
  • IC (@ 100°) max
    56 A
  • IC (@ 25° ) max
    80 A
  • ICpuls max
    150 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    150 A
  • Irrm
    16.7 A
  • Ptot max
    305 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    570 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    180 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    18 ns
  • tr
    15 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    30 kHz to 100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IKW50N65H5FKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
High Speed 650 V , 50 A hard-switching TRENCHSTOP™IGBT5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT.

機能

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to HighSpeed 3 family:
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduction in VCE(sat)
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild positive temp. coefficient
  • Temperature stability of Vf

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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