IKW50N65EH5
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IKW50N65EH5

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パッケージ
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在庫あり

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IKW50N65EH5
IKW50N65EH5
個.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.5 mJ
  • Eon
    1.5 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    50 A
  • IC (@ 25° ) (最大)
    80 A
  • ICpuls (最大)
    200 A
  • IF (最大)
    80 A
  • IFpuls (最大)
    200 A
  • Irrm
    17 A
  • Ptot (最大)
    275 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    1100 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    172 ns
  • td(on)
    25 ns
  • tf
    35 ns
  • tr
    29 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    30 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKW50N65EH5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
High Speed 650 V, hard-switching IGBT TRENCHSTOP™ 5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to HighSpeed 3 family
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reducedswitching losses
  • 200 mV reduction in V CE(sat)
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild positive temp. coeff. VCEsat
  • Temperature stability of Vf
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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