Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IKW30N65H5

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IKW30N65H5
IKW30N65H5
EA.
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.1 mJ
  • Eon
    0.28 mJ
  • IC (@ 100°) max
    35 A
  • IC (@ 25° ) max
    55 A
  • ICpuls max
    90 A
  • IF max
    30 A
  • IFpuls max
    54 A
  • Irrm
    11.5 A
  • Ptot max
    188 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    410 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    190 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    19 ns
  • tr
    11 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.55 V
  • スイッチング周波数
    30 kHz to 100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKW30N65H5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
High Speed 650 V, hard-switching IGBT TRENCHSTOP™ 5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT.

機能

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to HighSpeed 3 family:
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduction in VCEsat
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild positive temp. coeff. VCEsat
  • Temperature stability of Vf

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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