Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IKW30N65EL5

EA.
在庫あり

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IKW30N65EL5
IKW30N65EL5
EA.

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    1.35 mJ
  • Eon
    0.47 mJ
  • IC (@ 100°) max
    62 A
  • IC (@ 25° ) max
    85 A
  • ICpuls max
    120 A
  • IF max
    50 A
  • IFpuls max
    120 A
  • Irrm
    21 A
  • Ptot max
    227 W
  • QGate
    168 nC
  • Qrr
    910 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    308 ns
  • td(on)
    33 ns
  • tf
    51 ns
  • tr
    11 ns
  • VCE(sat)
    1.05 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • スイッチング周波数
    0.05 kHz to 20 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IKW30N65EL5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s new L5 low saturation voltage (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT family has been specifically optimized for low switching frequencies ranging from 50Hz to 20kHz. Optimization of the carrier profile of the innovative 55µm TRENCHSTOP™ 5 thin wafer technology allows to reduce conduction losses to the intrinsically low level – 1.05V for 30A IGBT and 1.10V for 75A IGBT.

機能

  • Lowest VCE(sat) of only 1.05 V
  • Low switching losses:
  • 1.6 mJ @ 25°C for 30 A IGBT
  • High thermal stability
  • Tjincrease from 25°C to 175°C

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }