IKW30N60DTP
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IKW30N60DTP

600 V, 30 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO-247 package

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IKW30N60DTP
IKW30N60DTP

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.74 mJ
  • Eon
    0.99 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    53 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    38 A
  • ICpuls (最大)
    90 A
  • IF (最大)
    39 A
  • IFpuls (最大)
    90 A
  • Irrm
    16.6 A
  • Ptot (最大)
    200 W
  • QGate
    130 nC
  • Qrr
    1230 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10.5 Ω
  • td(off)
    220 ns
  • td(on)
    15 ns
  • tf
    59 ns
  • tr
    23 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • VGE(th) 範囲
    4.1 V~5.7 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™Performance 2-30 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    2 kHz~30 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ Perf.
OPN
IKW30N60DTPXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Hard-switching 600 V, 30 A TRENCHSTOP™ Performance IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package.

特長

  • Lower total switching losses (Ets)
  • 7% lower Etsfor 8 kHz
  • 11% lower Etsfor 15 kHz
  • Low speed dV/dt switch. (<5V/ns)
  • Low EMI
  • Improved cell design
  • High reliability
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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