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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

IKP08N65H5

生産終了
650 V, 8 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package
データシート
パッケージ

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IKP08N65H5
IKP08N65H5
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.03 mJ
  • Eon
    0.07 mJ
  • IC (@ 100°) max
    11 A
  • IC (@ 25° ) max
    18 A
  • ICpuls max
    24 A
  • IF max
    20 A
  • IFpuls max
    24 A
  • Irrm
    6.8 A
  • Ptot max
    70 W
  • QGate
    22 nC
  • Qrr
    130 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    48 Ω
  • td(off)
    115 ns
  • td(on)
    11 ns
  • tf
    15 ns
  • tr
    5 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    30 kHz to 100 kHz
  • パッケージ
    TO-220-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IKP08N65H5XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
High Speed 650 V, 8 A TRENCHSTOP™ 5 fast IGBT in a TO-220 package copacked with fast and soft RAPID 1 anti-parallel diode.

機能

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to HighSpeed 3 family:
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduction in VCE(sat)
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild positive temp. coefficient
  • Temperature stability of Vf

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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