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IKP08N65H5
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IKP08N65H5

生産終了
650 V, 8 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package
パッケージ

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IKP08N65H5
IKP08N65H5

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.03 mJ
  • Eon
    0.07 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    11 A
  • IC (@ 25° ) (最大)
    18 A
  • ICpuls (最大)
    24 A
  • IF (最大)
    20 A
  • IFpuls (最大)
    24 A
  • Irrm
    6.8 A
  • Ptot (最大)
    70 W
  • QGate
    22 nC
  • Qrr
    130 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    48 Ω
  • td(off)
    115 ns
  • td(on)
    11 ns
  • tf
    15 ns
  • tr
    5 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    30 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    TO-220-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IKP08N65H5XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
High Speed 650 V, 8 A TRENCHSTOP™ 5 fast IGBT in a TO-220 package copacked with fast and soft RAPID 1 anti-parallel diode.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to HighSpeed 3 family:
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduction in VCE(sat)
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild positive temp. coefficient
  • Temperature stability of Vf
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ