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IGLR65R200D2

CoolGaN™ Transistor 650 V G5
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IGLR65R200D2
IGLR65R200D2
EA.
データシート

Product details

  • Generation
    G5
  • ID (@25°C) max
    9.2 A
  • IDpuls (@25°C) max
    16 A
  • QG
    1.26 nC
  • RDS (on) (typ)
    200 mΩ
  • RDS (on) max
    240 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • Mounting
    SMT
  • Qualification
    Industrial
推奨
OPN
IGLR65R200D2XUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IGLR65R200D2 GaN power transistor allows for increased efficiency at high-frequency operation. As part of the CoolGaN™ 650 V G5 family, it meets the highest quality standards, enabling highly reliable designs with superior efficiency. Housed in a bottom-side cooled ThinPAK package, it is well-suited for consumer applications with slim form factors.

機能

  • 650 V e-mode power transistor
  • Ultrafast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge, low output charge
  • Superior commutation ruggedness
  • Low dynamic RDS(on)
  • High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM
  • Bottom-side cooled package
  • JEDEC qualified (JESD47, JESD22)

利点

  • Supports high operating frequency
  • Enables highest system efficiency
  • Enables ultrahigh power density designs
  • Supports BOM cost savings

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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