IGD015S10S1
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IGD015S10S1

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CoolGaN™ トランジスタ100 V G3 (RQFN 5×6) 、1.1 mΩ
パッケージ

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IGD015S10S1
IGD015S10S1

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • ID (@25°C) (最大)
    164 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    880 A
  • QG
    22 nC
  • RDS (on) (typ)
    1.2 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • パッケージ
    RQFN 5x6
  • ファミリー
    CoolGaN™ Transistor 100 V G3
  • 認定
    Industrial
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IGD015S10S1は、Siフットプリント互換のRQFN 5×6パッケージに収められた100 Vのノーマリーオフe-modeパワー トランジスタで、⾼電力密度設計を可能にします。オン状態抵抗が非常に低いため、要求の厳しい高電圧 高電流アプリケーションで信頼性の高い性能を発揮するのに最適です。

特長

  • 100 V eモード パワー トランジスタ
  • 両面冷却パッケージ
  • 超高速スイッチング周波数
  • 逆回復電荷なし
  • 逆方向導通機能
  • 超低ゲート電荷および出力電荷
  • JEDECに準拠して認定
  • 耐湿性レベル: MSL1

利点

  • 最高クラスの電力密度
  • きわめて高い効率
  • 優れた熱管理機能
  • 小型、軽量設計が可能
  • 優れた信頼性
  • BOMコストの削減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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