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IGD015S10S1

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CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in RQFN 5x6, 1.2 mΩ
パッケージ

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IGD015S10S1
IGD015S10S1

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • ID (@25°C) (最大)
    164 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    880 A
  • QG
    22 nC
  • RDS (on) (typ)
    1.2 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • パッケージ
    RQFN 5x6
  • ファミリー
    CoolGaN™ Transistor 100 V G3
  • 認定
    Industrial
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IGD015S10S1 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a Si-footprint-compatible RQFN 5x6 package, enabling high-power-density designs. Thanks to its very low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications.

特長

  • 100 V e-mode power transistor
  • Dual-side cooled package
  • Ultrafast switching frequency
  • No reverse recovery charge
  • Reverse conduction capability
  • Ultralow gate and outputcharge
  • Qualfied according to JEDEC
  • Moisture rating MSL1

利点

  • Best-in-class power density
  • Highest efficiency
  • Improved thermal management
  • Enabling smaller and lighter designs
  • Excellent reliability
  • Lowering BOM cost

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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