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IGC54T65R3QE

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IGC54T65R3QE
IGC54T65R3QE
データシート

Product details

  • IC max
    100 A
  • VCE(sat) max
    2.22 V
  • VCE max
    650 V
  • VDS max
    650 V
  • VGE(th)
    4.2 V to 5.6 V
  • 動作温度
    -40 °C to 175 °C
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3
推奨
OPN
IGC54T65R3QEX1SA1
製哝ステータス active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ坝 N/A
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ポロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ坝 -
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s HighSpeed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses for frequencies between 25kHz and 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn-off losses.

機能

  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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