IGB50N65H5
新規設計非推奨
RoHS対応

IGB50N65H5

650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IGB50N65H5
IGB50N65H5
データシート


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.18 mJ
  • Eon
    1.59 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    80 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    53.7 A
  • ICpuls (最大)
    150 A
  • Ptot (最大)
    105 W
  • QGate
    120 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    117 ns
  • td(on)
    12 ns
  • tf
    30 ns
  • tr
    14 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    2 kHz～20 kHz
  • パッケージ
    PG-TO263-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IGB50N65H5ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
High speed 650 V, 50 A hard-switching TRENCHSTOP™ 5 in D2Pak (TO-263) package IGBT , redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to High Speed 3 family:
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switch. losses
  • 200 mV reduced VCE(sat)
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild pos. temp. coefficient VCEsat
  • Temperature stability of Vf
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ