IGB50N65H5
Active and preferred
RoHS対応

IGB50N65H5

650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IGB50N65H5
IGB50N65H5
個.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.18 mJ
  • Eon
    1.59 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    80 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    53.7 A
  • ICpuls (最大)
    150 A
  • Ptot (最大)
    105 W
  • QGate
    120 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    117 ns
  • td(on)
    12 ns
  • tf
    30 ns
  • tr
    14 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    2 kHz～20 kHz
  • パッケージ
    PG-TO263-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IGB50N65H5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
High speed 650 V, 50 A hard-switching TRENCHSTOP™ 5 in D2Pak (TO-263) package IGBT , redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to High Speed 3 family:
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switch. losses
  • 200 mV reduced VCE(sat)
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild pos. temp. coefficient VCEsat
  • Temperature stability of Vf
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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