IGB20N65S5
Active and preferred
RoHS対応

IGB20N65S5

650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO263 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IGB20N65S5
IGB20N65S5
個.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.08 mJ
  • Eon
    0.19 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    40 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    28 A
  • ICpuls (最大)
    80 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QGate
    48 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    20 Ω
  • td(off)
    115 ns
  • td(on)
    13 ns
  • tf
    22 ns
  • tr
    14 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    2 kHz～20 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IGB20N65S5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The 650 V, 20 A high speed switching TRENCHSTOP™ 5 in D2Pak (TO263) package single IGBT addressing applications switching between 10 kHz and 40 kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.

特長

  • Very low VCEsatof 1.35V at 25°C
  • IC(n)= 4x nominal curr. @100°C Tc
  • Soft current fall characteristics
  • With no tail current
  • Symmetrical, low voltage overshoot
  • Maximum junction temp. Tvj=175°C
  • Qualif. accor. to JEDEC standards
  • Gate voltage under control:
  • No risk of unwanted turn-on/off
  • No need for gate clamping
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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