IGB110S10S1
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IGB110S10S1

(Not for sale in China) CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 8 mΩ
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IGB110S10S1
IGB110S10S1
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • ID (@25°C) (最大)
    23 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    210 A
  • QG
    3.4 nC
  • RDS (on) (typ)
    9.4 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • パッケージ
    PQFN
  • ファミリー
    CoolGaN™ Transistor 100 V G3
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Industrial
OPN
IGB110S10S1XTMA1
製品ステータス on request
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-4
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス on request
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-4
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

特長

  • 100 V e-mode power transistor
  • Dual-side cooled package
  • No reverse recovery charge
  • Reverse conduction capability
  • Low gate charge, low output charge
  • Qualified according to JEDEC

利点

  • Best-in-class power density
  • Highest efficiency
  • Improved thermal management
  • Enabling smaller and lighter designs
  • Excellent reliability
  • Lowering BOM cost
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ