IDW10G65C5
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IDW10G65C5

650 Vシリコンカーバイド ショットキーダイオード10 A、TO-247パッケージ
パッケージ
ボード

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IDW10G65C5
IDW10G65C5

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    58 A
  • IF (最大)
    10 A
  • IR
    0.5 µA
  • Ptot (最大)
    65 W
  • QC
    15 nC
  • RthJC
    1.8 K/W
  • VF
    1.5 V
  • パッケージ
    TO247
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IDW10G65C5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon's CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver high price-performance ratio, leveraging advanced silicon carbide production facilities, a solid track record, utmost quality, and a very granular product portfolio. The latest product family of CoolSiC™ Schottky diodes G6, comes with improved system efficiency through reduced forward voltage, complementing Infineon’s 600 V and 650 V CoolMOS™ 7 superjunction MOSFET families.

特長

  • 5th generation SiC shottky diodes
  • extreme low reverse recovery charge
  • high surge current capability
  • high temperature operation
  • improved die attach
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • higher power density
  • reduced cooling
  • better thermal behavior

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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