アクティブで優先
RoHS準拠
鉛フリー

IDH16G65C6

Unparalleled efficiency and price performance
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IDH16G65C6
IDH16G65C6
EA.
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    82 A
  • IF max
    16 A
  • IR
    1.6 µA
  • Ptot max
    97 W
  • QC
    21.5 nC
  • RthJC
    0.9 K/W
  • VF
    1.25 V
  • Package
    TO220
  • Qualification
    Industrial
推奨
OPN
IDH16G65C6XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ Schottky diode 650V G6 is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes, fully leveraging all advantages of SiC over silicon. An Infineon proprietary innovative soldering process is combined with a more compact design, thin-wafer technology and a novel Schottky metal system. The result is a family of products with improved efficiency over all load conditions, resulting from a best-in-class figure of merit (Q c x V F).

機能

  • The lowest V F: 1.25V
  • Best-in-class figure of merit (Q c x V F)
  • No reverse recovery charge
  • Temperature independent switching behavior
  • High dv/dt ruggedness
  • Optimized thermal behavior

利点

  • Improved system efficiency over all load conditions
  • Increased system power density
  • Reduced cooling requirements and increased system reliability
  • Enables extremely fast switching
  • Easy and effective match with CoolMOS™ 7 families
  • Optimal price performance

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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