新規
Active and preferred
RoHS準拠

IAUTN15S6N025G

新規
150 V、Nチャネル、2.5 mΩ(最大)、車載用MOSFET、TOLG(10x12)、OptiMOS™ 6
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IAUTN15S6N025G
IAUTN15S6N025G
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    245 A
  • IDpuls max
    948 A
  • QG (typ @10V)
    107 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.5 mΩ
  • RthJC max
    0.42 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    TOLG (PG-HSOG-8-1)
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-6
  • 極性
    N
  • 発売年
    2025
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUTN15S6N025GATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
IAUTN15S6N025Gは、インフィニオンの最先端のパワー半導体技術OptiMOS™ 6 150 Vで構築されています。汎用性が高く、堅牢で、大電流のTOLG 10x12mm² SMDパッケージで提供され、要求の厳しい車載アプリケーションに必要な高性能、高品質、堅牢性を実現するように設計されています。主な特徴には、RoHS準拠、MSL1定格、AEC-Q101を超える自動車品質、PPAP機能、テープ&リール形式での納品などがあります。

機能

  • 150 Vのブレークダウン電圧
  • 低RDS(on) →最小導通損失
  • Nチャネル強化ノーマルレベルモード
  • VGS(th)のタイトな分布
  • 175°C動作温度
  • 高アバランシェ能力

利点

  • 高電力密度
  • 業界で最も低いRDS(on)
  • 高出力アプリケーション向けの高ID
  • 高スイッチング性能

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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