Active and preferred
RoHS準拠

IAUTN06S5N008G

60 V, N-Ch, 0.78 mΩ max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS™ 5
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IAUTN06S5N008G
IAUTN06S5N008G
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) (最大)
    504 A
  • QG (typ @10V)
    210 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    273 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.78 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.2 V ～ 3 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • パッケージ
    TOLG
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™5
  • 極性
    N
  • 発売年
    2023
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUTN06S5N008GATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
The IAUTN06S5N008G is a 0.78 mΩ, 60 V MOSFET coming in the TOLG package with Infineon’s leading OptiMOS™ 5 technology. Next to other applications, the device is designed for HV-LV DCDC converter.

特長

  • OptiMOS™ 5 power MOSFET
  • N-channel–Enhancement mode–Normal Level
  • Extended qualification beyond AEC-Q101
  • Enhanced electrical testing
  • Robust design
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • RoHS compliant
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Ideal for HV-LV DCDC converter
  • Also available in TOLL and TOLT package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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