Active and preferred
RoHS準拠

FZ1200R45HL4_S7

4500 V, 1200 A single switch IGBT module
データシート
EA.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FZ1200R45HL4_S7
FZ1200R45HL4_S7
EA.
データシート

Product details

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • IC max
    2400 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.1 V
  • VCES / VRRM
    4500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.5 V
  • コンフィギュレーション
    Single switch
  • パッケージ
    IHV B
  • 寸法 (length)
    190 mm
  • 寸法 (width)
    140 mm
  • 技術
    IGBT4 – L4
  • 特長
    VGE = 25 V
  • 認定
    Industrial, Traction
  • 電圧クラス max
    4500 V
推奨
OPN
FZ1200R45HL4S7BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-IHVB190
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-IHVB190
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and isolated AlSiC Base Plate - The best solution for your industry applications.

機能

  • High DC stability
  • High short-circuit capability
  • Lowest conduction losses
  • Low VCEsat
  • Rectangular non truncated (RB-)SOA
  • Tvj op=150°C
  • AlSiC base plate with AlN substrate
  • for increased Thermal cycling
  • Fire & smoke EN45545 R22, R23 : HL3
  • Package with CTI > 600
  • Gate emitter voltage of 25 V

利点

  • Standardized housing: 190x140x38 mm
  • 5% lower loss vs non _S7 type
  • Long service life
  • Unbeatable dynamic robustness
  • Low FIT Rate
  • UL recognized

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }