Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM28V100-TGTR

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM28V100-TGTR
FM28V100-TGTR
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    60 ns
推奨
OPN
FM28V100-TGTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-32
パッケージ名 STSOP-32 (001-91156)
包装サイズ 1500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-32
パッケージ名 STSOP-32 (001-91156)
包装サイズ 1500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM28V100-TGTRは1-Mbit（128K × 8）パラレルF-RAMで、32ピンTSOP Iパッケージを採用し、100兆回の読み書き耐久性と65°Cで151年のデータ保持を実現します。2.0 V～3.6 V動作、–40°C～+85°C対応、60 nsアクセス、90 nsサイクルタイム。7 mA動作電流、90 μA待機電流、RoHS準拠、耐衝撃・耐振動性に優れ、頻繁または迅速な更新が必要な不揮発性メモリアプリケーションに最適です。

特長

  • 1Mビット不揮発F-RAM、128K×8構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™書込、SRAM同等動作
  • ページモード30nsサイクル
  • 60nsアクセス、90nsサイクル
  • 標準128K×8 SRAMピン配置
  • 低消費電力：7mA動作、90μA待機
  • 低電圧動作：2.0 V～3.6 V
  • 湿気・衝撃・振動に強い
  • 真の表面実装対応
  • 高度な強誘電体プロセス

利点

  • バッテリSRAM問題を解消
  • 150年以上の信頼性データ保持
  • 書込遅延なしで高速
  • 標準SRAMと置換可能
  • 過酷環境に対応
  • システム消費電力を削減
  • 実装時の手直し不要
  • 頻繁なデータ記録に最適
  • 既存SRAM設計と互換
  • 電源断でもデータ保持
  • バッテリ不要で設計簡素化
  • 幅広い電圧で安定動作

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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