Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM28V100-TG

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM28V100-TG
FM28V100-TG
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    60 ns
推奨
OPN
FM28V100-TG
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-32
パッケージ名 STSOP-32 (001-91156)
包装サイズ 468
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-32
パッケージ名 STSOP-32 (001-91156)
包装サイズ 468
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM28V100-TGは1-Mbit（128K × 8）パラレルF-RAMメモリで、10^14回の読書きと65°Cで151年のデータ保持を実現します。動作電圧は2.0 V～3.6 V、動作電流は7 mA（標準）、待機電流は90 μA（標準）。60 nsアクセス、90 nsサイクルタイム、SRAM互換でバッテリバックアップSRAMの置換が可能。32ピンTSOP Iパッケージ、RoHS準拠、-40°C～+85°Cの産業温度範囲対応で、頻繁書き込み非揮発性メモリに最適です。

特長

  • 1Mビット不揮発F-RAM、128K×8構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™書込、SRAM同等動作
  • ページモード30nsサイクル
  • 60nsアクセス、90nsサイクル
  • 標準128K×8 SRAMピン配置
  • 低消費電力：7mA動作、90μA待機
  • 低電圧動作：2.0 V～3.6 V
  • 湿気・衝撃・振動に強い
  • 真の表面実装対応
  • 高度な強誘電体プロセス

利点

  • バッテリSRAM問題を解消
  • 150年以上の信頼性データ保持
  • 書込遅延なしで高速
  • 標準SRAMと置換可能
  • 過酷環境に対応
  • システム消費電力を削減
  • 実装時の手直し不要
  • 頻繁なデータ記録に最適
  • 既存SRAM設計と互換
  • 電源断でもデータ保持
  • バッテリ不要で設計簡素化
  • 幅広い電圧で安定動作

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }