Active and preferred
RoHS準拠

FM25V10-DG

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM25V10-DG
FM25V10-DG
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kx8
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FM25V10-DG
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-USON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 370
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-USON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 370
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
FM25V10-DGは1 Mbit（128K × 8）シリアルF-RAMメモリで、SPIインターフェース、1014回の読み書きサイクル、65°Cで151年のデータ保持を実現します。動作電圧2.0 V～3.6 V、温度–40°C～+85°C、1 MHz時300 μA、スリープ時5 μA、SPI速度は最大40 MHz。NoDelay™書き込みや多様な書き込み保護、8ピンDFNパッケージで産業・制御用途の高信頼低消費不揮発性ストレージに最適です。

特長

  • 1Mビット不揮発F-RAM、128K×8構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™バス即時書き込み
  • SPIインターフェース最大40 MHz
  • 低消費電力：1 MHz時0.3 mA、スリープ5 μA
  • 広VDD：2.0 V～3.6 V
  • 工業温度：–40°C～+85°C
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • デバイス・一意シリアル番号選択
  • シリアルフラッシュ/EEPROM代替
  • 高信頼性強誘電体プロセス

利点

  • 頻繁・高速書き込みに信頼保存
  • 書き込み遅延ゼロで高速化
  • フラッシュ/EEPROM超える耐久性
  • 151年保持で長期データ安全
  • 低消費で電池・システム長寿命
  • SPI 40 MHzで高速データ転送
  • 標準SPIコントローラと容易統合
  • 書き込み保護で誤消去防止
  • 一意IDで安全認証対応
  • 置換で設計移行が容易
  • 過酷な工業環境で動作
  • 高信頼で保守コスト低減

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }