Active and preferred
RoHS準拠

FM24W256-GTR

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM24W256-GTR
FM24W256-GTR
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 5.5 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM24W256-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM24W256-GTRは256 Kbit（32K × 8）シリアル強誘電体RAM（F-RAM）で、業界標準のI2Cインターフェース、NoDelay™書き込み、100兆回の高耐久性を備えます。動作電圧は2.7 V～5.5 V、動作温度は–40°C～+85°C、待機電流は15 μA（typ）、100 kHz時の動作電流は最大100 μA。65°Cで151年のデータ保持を保証し、頻繁なデータロギングや産業用制御、シリアルEEPROMの置き換え用途に最適です。RoHS準拠、8ピンSOICパッケージ。

特長

  • 256 Kbit F-RAM、32K×8構成
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時書き込み
  • I2C最大1 MHz対応
  • 100 kHz時動作電流100 μA
  • 典型待機電流15 μA
  • VDD範囲2.7 V～5.5 V
  • 動作温度–40°C～+85°C
  • I2C EEPROMと互換
  • 100k/400k/1 MHz I2C対応
  • 高信頼性強誘電体プロセス

利点

  • 頻繁な高速データ記録が可能
  • リアルタイムで書き込み遅延なし
  • 100年以上の信頼性データ保存
  • 低消費電力でシステム効率化
  • 幅広い電圧で設計容易
  • 過酷な環境下でも動作
  • EEPROMから置換が容易
  • 各種I2C速度に対応
  • 書き込み摩耗の心配不要
  • 待機時も電池長持ち
  • 書き込み後のポーリング不要
  • 重要データも高信頼

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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