Active and preferred
RoHS準拠

FM24V10-GTR

EA.
個の在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM24V10-GTR
FM24V10-GTR
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ~ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ~ 3.6 V
  • 周波数
    3.4 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
FM24V10-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM24V10-GTRは1Mビット(128K × 8)シリアル強誘電体RAM(F-RAM)で、I2Cインターフェースを備え、100兆回の読み書き耐久性と65°Cで151年のデータ保持を実現します。動作電圧は2.0 V~3.6 V、温度範囲は-40°C~+85°C、100 kHz時の動作電流は175 μA、スリープ時は5 μA(代表値)です。NoDelay™バス速度書き込みにより書き込み遅延やポーリングを排除し、産業用制御、データロギング、高信頼性が求められる頻繁書き込み用途に最適です。

特長

  • 1-Mbit (128K × 8) F-RAMメモリ
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™即時書き込み技術
  • I2Cインターフェース最大3.4 MHz
  • 100 kHz/400 kHz/1 MHz/3.4MHz対応
  • 100kHz時175μA動作電流
  • 5μAスリープ電流
  • 2.0 V~3.6V低電圧動作
  • 工業用温度–40°C~+85°C
  • デバイスIDと一意シリアル番号
  • I2C EEPROMと互換

利点

  • 頻繁で高速なデータ記録に最適
  • 書き込み遅延なしで高速化
  • 長期間信頼できるデータ保持
  • 動作時の消費電力を削減
  • スリープで電池寿命延長
  • 多様なI2Cバス速度に対応
  • 過酷な環境下でも動作
  • I2C EEPROMから簡単移行
  • システム識別・追跡が容易
  • 書き込み後のポーリング不要
  • EEPROMよりシステム負担軽減
  • 多書き込み用途に最適

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }