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FM22L16-55-TGTR

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM22L16-55-TGTR
FM22L16-55-TGTR
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
FM22L16-55-TGTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM22L16-55-TGTRは4-Mbit（256K × 16）非揮発性強誘電体RAM（F-RAM）で、44ピンTSOP IIパッケージ、55 nsアクセス時間、SRAM互換性を備えています。動作電圧2.7 V～3.6 V、動作温度–40°C～+85°C、標準動作電流8 mA、待機電流90 μA。100兆回の読み書き耐久性、65°Cで最大151年のデータ保持、バッテリーバックアップSRAMの信頼性課題を解消。ブロック書き込み保護、低消費スリープモード、RoHS準拠で、重要な用途に適しています。

特長

  • 4-Mbit F-RAM、256K x 16構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™書込、SRAM互換タイミング
  • 55 nsアクセス、110 nsサイクル
  • ページモード、25 nsページアクセス
  • ソフトウェアブロック書込保護
  • 低消費電力：8 mA動作、90 μA待機
  • スリープ時5 μA電流
  • 低電圧動作：2.7 V～3.6 V
  • 入出力漏れ電流±1 μA
  • 工業温度：–40°C～+85°C

利点

  • 即時で信頼性の高いデータ保存
  • バックアップ電池不要
  • 151年の保持で長期保存安心
  • 頻繁な書込用途に最適
  • 標準SRAMと置換可能
  • 高速アクセスで性能向上
  • ページモードでスループット向上
  • 柔軟なソフトウェア保護
  • 動作/待機時の消費電力を抑制
  • スリープでバッテリー長持ち
  • 低電圧システムに対応
  • 過酷な環境でも信頼動作

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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