FM22L16-55-TGTR
Active and preferred
RoHS対応

FM22L16-55-TGTR

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM22L16-55-TGTR
FM22L16-55-TGTR
個.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
FM22L16-55-TGTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
FM22L16-55-TGTRは4-Mbit（256K × 16）非揮発性強誘電体RAM（F-RAM）で、44ピンTSOP IIパッケージ、55 nsアクセス時間、SRAM互換性を備えています。動作電圧2.7 V～3.6 V、動作温度–40°C～+85°C、標準動作電流8 mA、待機電流90 μA。100兆回の読み書き耐久性、65°Cで最大151年のデータ保持、バッテリーバックアップSRAMの信頼性課題を解消。ブロック書き込み保護、低消費スリープモード、RoHS準拠で、重要な用途に適しています。

特長

  • 4-Mbit F-RAM、256K x 16構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™書込、SRAM互換タイミング
  • 55 nsアクセス、110 nsサイクル
  • ページモード、25 nsページアクセス
  • ソフトウェアブロック書込保護
  • 低消費電力：8 mA動作、90 μA待機
  • スリープ時5 μA電流
  • 低電圧動作：2.7 V～3.6 V
  • 入出力漏れ電流±1 μA
  • 工業温度：–40°C～+85°C

利点

  • 即時で信頼性の高いデータ保存
  • バックアップ電池不要
  • 151年の保持で長期保存安心
  • 頻繁な書込用途に最適
  • 標準SRAMと置換可能
  • 高速アクセスで性能向上
  • ページモードでスループット向上
  • 柔軟なソフトウェア保護
  • 動作/待機時の消費電力を抑制
  • スリープでバッテリー長持ち
  • 低電圧システムに対応
  • 過酷な環境でも信頼動作
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ