Active and preferred
RoHS準拠

FF6MR12W2M1H_B70

CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール1200 V
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FF6MR12W2M1H_B70
FF6MR12W2M1H_B70
EA.
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    5.4 mΩ
  • アプリケーション
    UPS, Solar, EV Charger, ESS, SST
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 2B
  • 寸法 (width)
    48 mm
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 特長
    PressFIT, AlN
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF6MR12W2M1HB70BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
AG-EASY2B
パッケージ名 N/A
包装サイズ 15
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
AG-EASY2B
パッケージ名 -
包装サイズ 15
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール、1200 V、6 mΩ G1、NTC温度センサー内蔵、PressFITコンタクトテクノロジー、窒化アルミニウムセラミック。

特長

  • クラス最高の高さ12.25 mm
  • 最先端のWBG材料
  • 非常に低いモジュール浮遊インダクタンス
  • 強化されたCoolSiC™ MOSFET Gen 1
  • 拡大されたゲート駆動電圧ウィンドウ
  • 15～18Vおよび0～-5Vの電圧範囲
  • 拡張された最大ゲート-ソース電圧
  • +23 Vおよび-10 Vのゲート-ソース電圧
  • Tvjop: 最大175℃の過負荷状態
  • NTC温度センサー内蔵

利点

  • Outstanding module efficiency
  • System cost advantages
  • System efficiency improvement
  • Reduced cooling requirements
  • Enabling higher frequency
  • Increase of power density

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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