Active and preferred
RoHS準拠

FF33MR12W1M1HP_B11

EasyDUAL™ 1B CoolSiC™ MOSFET half-bridge module 1200 V
データシート
EA.
個の在庫あり

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FF33MR12W1M1HP_B11
FF33MR12W1M1HP_B11
EA.
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    33 mΩ
  • アプリケーション
    Solar, EV Charger, ESS, UPS
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 1B
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 寸法 (width)
    33.8 mm
  • 特長
    TIM, PressFIT
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 N/A
包装サイズ 30
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 -
包装サイズ 30
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
EasyDUAL™ 1B 1200 V, 33 mΩ half-bridge module with CoolSiC™ MOSFET enhanced generation 1, integrated NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material and PressFIT Contact Technology

特長

  • Best-in-class package: 12 mm height
  • Easy module packages
  • Very low module stray inductance
  • Wide RBSOA
  • 1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • Rec. drive volt: +15...+18V & 0…-5V
  • Max. gate-source: +23 V & -10 V
  • Max. gate-source: +23 V & -10 V
  • Tvjop < 175°C (overload condition)
  • PressFIT pins
  • Integrated NTC temperature sensor
  • Thermal interface material

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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