FF33MR12W1M1HP_B11
Active and preferred
RoHS対応

FF33MR12W1M1HP_B11

EasyDUAL™ 1B CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール1200 V
データシート
個.
在庫あり

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FF33MR12W1M1HP_B11
FF33MR12W1M1HP_B11
個.
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    33 mΩ
  • アプリケーション
    Solar, EV Charger, ESS, UPS
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 1B
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 寸法 (width)
    33.8 mm
  • 特長
    TIM, PressFIT
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 30
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 -
梱包サイズ 30
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
EasyDUAL™ 1B 1200 V、33 mΩハーフブリッジモジュール。CoolSiC™ MOSFET強化第1世代、統合型NTC温度センサー、事前塗布済み熱伝導材料、PressFITコンタクトテクノロジーを搭載。

特長

  • クラス最高のパッケージ: 高さ12 mm
  • 簡単なモジュールパッケージ
  • 非常に低いモジュール浮遊インダクタンス
  • 広いRBSOA
  • 1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • 推奨。駆動電圧: +15～+18V & 0～-5V
  • 最大ゲート-ソース: +23 V & -10 V
  • 最大ゲート-ソース: +23 V & -10 V
  • Tvjop < 175°C (過負荷状態)
  • PressFITピン
  • NTC温度センサー内蔵
  • 熱伝導材料
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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