新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

FF200R12KT3

1200 V、200 AハーフブリッジIGBTモジュール
データシート
ボード
EA.
個の在庫あり

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FF200R12KT3
FF200R12KT3
EA.
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • IC (最大)
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.7 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 技術
    IGBT3 - T3
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
OPN
FF200R12KT3HOSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
包装サイズ 10
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
包装サイズ 10
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
62 mm 1200 V、200 AハーフブリッジスイッチIGBTモジュール、高速TRENCHSTOP™ IGBT3およびエミッター制御高効率ダイオード付き。共通エミッターを使用したバリエーションFF200R12KT3_Eもあります。

特長

  • ワイド周波数制御インバータードライブ
  • UL1557 E83336準拠のUL/CSA認証
  • Tvj op最大125 ℃ (最大150 ℃)
  • 最適化されたスイッチング特性
  • より高い電流容量を備えたパッケージ
  • RoHS準拠

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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