Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FF200R12KE4P

1200 V、200 AハーフブリッジIGBTモジュール
データシート
ボード
EA.
個の在庫あり

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FF200R12KE4P
FF200R12KE4P
EA.
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • IC (最大)
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.75 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 技術
    IGBT4 - E4
  • 特長
    TIM
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
推奨
OPN
FF200R12KE4PHOSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
包装サイズ 8
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
包装サイズ 8
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
62 mm、1200 V、200 AのハーフブリッジIGBTモジュール。トレンチ/フィールドストップIGBT4、最適化されたエミッター制御ダイオード、および事前塗布された熱伝導材料を備えています。

特長

  • 動作温度: 最大150 ℃
  • UL1557 E83336準拠のUL/CSA認証
  • 最適化されたスイッチングソフトネス
  • スイッチング損失の低減
  • 高電流対応
  • RoHS準拠

図

Circuit_diagram_62mm_Half_Bridge
Circuit_diagram_62mm_Half_Bridge
Circuit_diagram_62mm_Half_Bridge Circuit_diagram_62mm_Half_Bridge Circuit_diagram_62mm_Half_Bridge
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