FF200R12KE4
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

FF200R12KE4

1200 V、200 AハーフブリッジIGBTモジュール
データシート
ボード
個.
在庫あり

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FF200R12KE4
FF200R12KE4
個.
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • IC (最大)
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.75 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 技術
    IGBT4 - E4
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
推奨
OPN
FF200R12KE4HOSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
1200 V/200 A TRENCHSTOP™ IGBT4および62 mmエミッター制御ダイオード搭載ハーフブリッジIGBTモジュール熱伝導材料を使用したタイプもご用意しております。

特長

  • ワイド周波数制御インバータードライブ
  • UL1557 E83336準拠のUL/CSA認証
  • 動作温度: 最大150 ℃
  • 最適化されたスイッチング特性
  • より高い電流容量を備えたパッケージ
  • RoHS準拠
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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