FF1MR12MM1HW_B11
Active and preferred
RoHS対応

FF1MR12MM1HW_B11

CoolSiC™ MOSFET half-bridge module 1200 V
データシート
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FF1MR12MM1HW_B11
FF1MR12MM1HW_B11
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製品仕様情報

  • RDS (on)
    6.8 mΩ
  • アプリケーション
    CAV, ESS
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    EconoDUAL™ 3
  • 寸法 (length)
    152 mm
  • 寸法 (width)
    62 mm
  • 特長
    PressFIT, Wave structure on the base plate
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF1MR12MM1HWB11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-ECONOD
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 6
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-ECONOD
パッケージ名 -
梱包サイズ 6
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET half-bridge module 1200 V, 1.4 mΩ with enhanced generation 1, integrated NTC temperature sensor, PressFIT Contact Technology and wave structure on the back side of the base plate for direct liquid cooling.

特長

  • Wave structure on the base plate
  • Low switching losses
  • Superior gate oxide reliability
  • Higher gate threshold voltage 
  • Higher Power output
  • Robust integrated body diode
  • High cosmic ray robustness
  • High speed switching module
  • Tvj op = 175°C overload
  • PressFIT Pins 
  • Screw power terminals
  • Integrated NTC temperature sensor

利点

  • Optimized for direct liquid cooling
  • High switching frequency
  • Reduced volume and size
  • Reduction of system costs
  • High thermal efficiency
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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