Active and preferred
RoHS準拠

F3L3MR12W3M1H_H11

CoolSiC™ MOSFET module 1200 V
データシート
EA.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

F3L3MR12W3M1H_H11
F3L3MR12W3M1H_H11
EA.
データシート

Product details

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    3 mΩ
  • アプリケーション
    ESS
  • コンフィギュレーション
    3-Level
  • パッケージ
    Easy 3B
  • 寸法 (length)
    110 mm
  • 寸法 (width)
    62 mm
  • 特長
    PressFIT
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
F3L3MR12W3M1HH11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-EASY3B
パッケージ名 N/A
包装サイズ 8
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-EASY3B
パッケージ名 -
包装サイズ 8
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EasyPACK™ 3B CoolSiC™ MOSFET 1200 V, 3 mOhm ANPC module with L7, EC7, integrated NTC temperature sensor and High Current Pin.

機能

  • Easy family with 12mm height
  • enhanced generation 1 trench technology
  • Gate-source voltages of +23 V and -10 V
  • Very low stray inductance
  • Overload capabilities up to 175°C
  • High current pin

利点

  • Easy to design
  • Highest power density by lowest RDS
  • system cost advantages
  • low FIT rate for cosmic ray induced fail

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }