CY62148EV30LL-45BVXI
Active and preferred
RoHS対応

CY62148EV30LL-45BVXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62148EV30LL-45BVXI
CY62148EV30LL-45BVXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62148EV30LL-45BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-36
パッケージ名 VFBGA-36 (51-85149)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-36
パッケージ名 VFBGA-36 (51-85149)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62148EV30LL-45BVXIは4-Mbit（512K×8）のCMOS SRAMで、Pbフリー36ボールVFBGAパッケージ。2.20 V～3.60 V、–40°C～+85°Cで動作し、45 nsアクセスに対応。CEがHIGHで自動パワーダウンし、VCC=3.60 V時のスタンバイ電流は典型2.5 µA/最大7 µA。1 MHzで典型3.5 mA、fmaxで典型15 mA/最大20 mAで高速ランダム読書きに対応。

特長

  • 4 Mbit SRAM(512K×8)
  • 電源電圧2.2 V～3.6 V
  • 読出しサイクルtRC 45 ns
  • OE LOW→データ有効22 ns
  • CE HIGHで自動パワーダウン
  • スタンバイ電流 2.5 µA typ
  • スタンバイ電流 7 µA max
  • 1 MHz時動作電流 3.5 mA typ
  • VCC=1.5 Vでデータ保持
  • 保持電流 8.8 µA max
  • CE/OE HIGHでI/OはハイZ
  • 入出力容量 10 pF max

利点

  • 高速読出しでCPU待ちを低減
  • 広いVCCで3.3 V系に適合
  • 自動パワーダウンで待機電力低減
  • µA級待機で電池寿命を延長
  • 低動作電流で省エネ
  • 1.5 V保持でデータを維持
  • ハイZ出力でバス共有が容易
  • 低容量で高速エッジに対応
  • 高速OEでスループット向上
  • CE/OE制御で増設が容易
  • 低電源電流で発熱を低減
  • 明確なタイミングで設計容易
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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