CY62136FV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62136FV30LL-45BVXIT

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62136FV30LL-45BVXIT
CY62136FV30LL-45BVXIT
データシート


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62136FV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH,TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH,TW
ウェハ製造国
US
CY62136FV30LL-45BVXIT is a 2-Mbit (128 K × 16) CMOS static SRAM for portable and embedded memory expansion. It operates from 2.2 V to 3.6 V with 45 ns access time and byte write via BLE/BHE. Typical active current is 1.6 mA at 1 MHz (2.5 mA max), and standby is 1 µA typical (5 µA max, Industrial) with automatic power-down when CE is deselected and outputs in high-Z. Pb-free 48-ball VFBGA.

特長

  • 2-Mbit SRAM, 128K × 16
  • 45 ns read/write cycle time
  • OE access time down to 22 ns
  • Supply voltage 2.2 V to 3.6 V
  • ICC typ 1.6 mA at 1 MHz
  • ICC max 18 mA at fmax
  • Standby current typ 1 µA
  • Auto power-down with CE HIGH
  • Byte write enables BLE/BHE
  • Outputs go high-Z when disabled
  • Input/output leakage ±1 µA
  • CIN/COUT max 10 pF

利点

  • Fits 16-bit data SRAM needs
  • Fast reads/writes reduce latency
  • Faster OE speeds async reads
  • Runs from 2.2–3.6 V rails
  • Low active current saves energy
  • Handles high-frequency accesses
  • Extends battery life in standby
  • Cuts idle power when inactive
  • Updates 8-bit bytes, less traffic
  • Simplifies bus sharing
  • Low leakage improves data hold
  • Low pin capacitance eases timing

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ