Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15V102QN-50SXI

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY15V102QN-50SXI
CY15V102QN-50SXI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    1.71 V ～ 1.89 V
  • 動作電圧 (範囲)
    1.71 V ～ 1.89 V
  • 周波数
    50 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15V102QN-50SXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY15V102QN-50SXIは2Mb EXCELON™ LP強誘電体RAMで、最大50 MHzの高速SPIインターフェースを備えます。動作電圧は1.71 V～1.89 V、温度範囲は-40°C～+85°C。10^15回の読み書き耐久性と最大151年のデータ保持、瞬時の非揮発性書き込みで遅延なし。高度な保護機能と低消費電力モードが信頼性を高め、堅牢なSOICパッケージは頻繁な書き込みを伴う産業や組み込み用途に最適です。

特長

  • 2Mb強誘電体RAM、256K×8構成
  • 10^15回の読書耐久性
  • 151年データ保持（60°C）
  • 即時不揮発性書込・遅延なし
  • 最大50 MHz SPI、モード0/3対応
  • ハード/ソフト高度書込保護
  • 専用256バイト特殊セクタF-RAM
  • 一意のデバイスIDとシリアル番号
  • 動作電流2.4 mA（40 MHz）
  • 待機2.3 µA、ディープ0.7 µA
  • 休止モード0.1 µA（典型）
  • 入出力漏れ電流最大±1 µA

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 書込遅延ゼロで高速化
  • 電断でもデータ消失なし
  • システム消費電力を削減
  • 携帯機器の電池寿命を延長
  • 高速SPIマイコン設計に対応
  • デバイス認証が容易
  • 重要データを誤書込から保護
  • 特殊セクタはリフロー耐性
  • シリアルEEPROM/フラッシュ置換容易
  • 複数SPI機器に適合
  • 高耐久で保守コスト低減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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