Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B256Q-SXE

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY15B256Q-SXE
CY15B256Q-SXE
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    33 MHz
  • 組織 (X x Y)
    32Kbx8
  • 認定
    Automotive (E)
推奨
OPN
CY15B256Q-SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 970
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 970
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY15B256Q-SXEは256 Kbit（32K × 8）車載グレードのシリアルF-RAMで、SPIインターフェースを採用し、頻繁かつ高速なデータロギングに最適な高耐久不揮発性メモリです。最大33 MHzのSPI動作、10兆（10¹³）回の読書きサイクル、85°Cで121年のデータ保持を実現。2.7 V～3.6 V動作電圧、-40°C～+125°C対応、低消費電力、高度な書き込み保護、AEC-Q100 Grade 1認証により、車載・産業用途の信頼性の高いストレージに最適です。

特長

  • 256-Kbit不揮発性F-RAMメモリ
  • 10^13回の読書/書込耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™バス即時書込
  • 最大33 MHz SPIインターフェース
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト書込保護
  • 1/4、1/2、全域ブロック保護
  • メーカー/製品ID搭載
  • 5 mA動作、500 μA待機、12 μAスリープ
  • VDD範囲2.7 V～3.6 V
  • 動作温度–40°C～+125°C

利点

  • 10^13回でも信頼のデータ
  • 121年保持でデータ消失防止
  • 即時書込で待ち時間ゼロ
  • 33 MHz SPIで高速アクセス
  • フラッシュ/EEPROM置換可
  • 柔軟なSPIモード互換
  • 書込保護で安全性向上
  • ブロック保護で重要データ守る
  • デバイスIDで管理容易
  • 低消費電力で長寿命
  • 広い電圧対応で設計自在
  • 過酷環境下でも安定動作

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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