Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B102QN-50SXE

2Mb 3.3V Automotive(E) 50MHz SPI EXCELON™ F-RAM in 8-pin SOIC
データシート
パッケージ

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CY15B102QN-50SXE
CY15B102QN-50SXE
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    50 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B102QN-50SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B102QN-50SXEは2 Mb EXCELON™ Auto強誘電体RAM（F-RAM）で、SPIインターフェース、256K × 8構成、8ピンSOICパッケージを採用。動作電圧1.8 V～3.6 V、温度範囲–40°C～+125°C、AEC-Q100 Grade 1準拠。10^13回の読み書き耐久性、85°Cで121年のデータ保持、書き込み遅延なし、最大50 MHz SPIクロック。高度な書き込み保護、低消費電力、RoHS準拠で、車載・産業用途の高信頼性頻繁データ記録に最適。

特長

  • 2Mb強誘電体RAM
  • 10^13回の耐久書き換え
  • 121年データ保持（85°C）
  • 即時不揮発性書き込み技術
  • 最大50 MHzのSPIインターフェース
  • ハード/ソフト両方の書き込み保護
  • 専用256バイト特殊セクタ
  • デバイス＆ユニークID
  • 低消費電流：3.7 mA動作、2.7 µA待機
  • ディープパワーダウン1.1 µA、休止0.1 µA
  • 入出力漏れ電流±5 µA
  • 動作温度–40°C～+125°C

利点

  • 10^13回で頻繁なデータ記録に最適
  • 121年保持でデータ安全
  • 書き込み遅延なし即時保存
  • 50 MHz SPIで高速転送
  • ハード/ソフト保護でデータ損失防止
  • 特殊セクタはリフロー耐性
  • ユニークIDで機器追跡
  • 低消費電力で長寿命
  • ディープパワーダウンで待機電力低減
  • 休止モードで省エネ
  • 広温度範囲で過酷環境対応
  • ミッションクリティカル用途に信頼

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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