CY15B101N-ZS60XET

データシート

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CY15B101N-ZS60XET
CY15B101N-ZS60XET
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64Kx16
  • 認定
    Automotive(E)
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CY15B101N-ZS60XETは1 Mbit（64K×16）の不揮発性F-RAMで、SRAM互換パラレルインターフェースによりSRAM置換に対応します。2.0 V～3.6 V、–40°C～+125°Cで動作し、ZZスリープピン付き44ピンTSOP-II（51-85087）を採用。60 nsアクセス、90 nsサイクル、30 nsページモードを実現。10^13回の読書込み耐久性と、85°Cで121年のデータ保持をサポートします.

特長

  • 1 Mbit F-RAM、64K×16
  • UB/LBで128K×8切替
  • VDD動作2.0 V～3.6 V
  • 3.6 V時動作7 mA典型
  • スタンバイ120 µA典型
  • ZZ Lowでスリープ3 µA典型
  • 耐久性10^13回の読書込
  • 85°Cでデータ保持121年
  • ページモード30 nsアクセス
  • 読出しサイクル90 ns
  • 書込みサイクル90 ns
  • ESD: HBM 2 kV,CDM 500 V

利点

  • 電源断でもデータ保持
  • SRAM置換で設計が容易
  • UB/LBでバイト単位対応
  • 2.0～3.6 V電源で動作
  • 動作電流低減で省電力
  • 待機電流低減で省電力
  • ZZでスリープ省エネ
  • 頻繁書込みに強い10^13回
  • 長期保持で保守リスク低減
  • 30 nsでページ処理高速化
  • 90 nsで高速バスに適合
  • ESD耐性で信頼性向上

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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