CY15B101N-ZS60XET

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データシート

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CY15B101N-ZS60XET
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データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64Kx16
  • 認定
    Automotive(E)
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
CY15B101N-ZS60XETは、SRAM互換のパラレルインターフェースを備えた1Mビット (64K×16) の不揮発性F-RAMで、既存の製品と簡単に交換できます。動作電圧は2.0 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+125℃で、ZZスリープピンを備えた44ピンTSOP-IIパッケージ (51-85087) で提供されます。性能面では、アクセス時間60 ns、サイクルタイム90 ns、ページモード時30 nsを実現しています。10^13回の読み書き耐久性と、85℃における121年間のデータ保持をサポートします。

特長

  • 1 MビットF-RAM、64K × 16アレイ
  • UB/LBにより128K × 8に設定可能
  • VDD動作: 2.0～3.6 V
  • アクティブ電流: 7 mA (標準値、3.6 V時)
  • スタンバイ電流: 120 μA (標準値)
  • スリープ電流: 3 μA (標準値、ZZ LOW)
  • 耐久性: 10^13回の読み出し/書き込みサイクル
  • データ保持: 85℃で121年
  • ページモード アクセス時間: 30 ns
  • 読み出しサイクル時間: 90 ns (VDD > 2.7 V)
  • 書き込みサイクル時間: 90 ns (VDD > 2.7 V)
  • ESD: HBM 2 kV、CDM 500 V

利点

  • 電源が切れてもデータを保持します
  • SRAMの交換用ドロップイン設計
  • UB/LBはバイト単位のマッピングを可能にします
  • 2.0～3.6 V電源レールで動作
  • 低アクティブ電流による消費電力削減
  • 低待機電流によるアイドル時消費電力削減
  • ZZ機能によるスリープモード省エネルギー
  • 10^13サイクルによる頻繁な書き込み対応
  • 長期データ保持によるサービスリスク低減
  • 30 nsページモードでスループットが向上
  • 90 nsサイクルで高速バスタイミングに対応
  • ESD耐性により信頼性が向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ