Active and preferred
RoHS準拠

CY15B064J-SXE

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B064J-SXE
CY15B064J-SXE
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    64 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.65 V
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B064J-SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 970
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 970
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY15B064J-SXEは64 Kbit（8K × 8）車載用F-RAMで、高信頼性の強誘電体技術による不揮発性メモリです。10兆（1013）回の読み書きと121年のデータ保持に対応し、頻繁または高速な書き込み用途に最適です。3.0 V～3.6 V、–40°C～+125°Cで動作し、低消費電流、1 MHz対応I2C、NoDelay™即時書き込み、AEC-Q100 Grade 1とRoHS準拠で車載用途に最適です。

特長

  • 64 Kbit不揮発性F-RAM、8K×8構成
  • 10兆回の読書き耐久性
  • 121年データ保持（85°C）
  • NoDelay™書込、即時データ保存
  • 最大1 MHz I2CシリアルIF対応
  • 100/400 kHz I2Cタイミング対応
  • 100 kHz時120 μA動作電流
  • 6 μAスタンバイ電流
  • VDD動作電圧3.0～3.6 V
  • 動作温度–40°C～+125°C
  • シリアルI2C EEPROMと互換
  • 高信頼性強誘電体プロセス

利点

  • 電源断でもデータ保持
  • 10¹³回で頻繁な記録に最適
  • 121年保存でデータ消失防止
  • 書込遅延ゼロで応答高速
  • 1 MHz I2Cで高速アクセス
  • 既存I2C設計と互換
  • 低動作電流で省エネ
  • 6 μA待機で電池長持ち
  • 3.0～3.6 Vで標準電源対応
  • –40°C～+125°Cで広温度動作
  • 置換で設計変更不要
  • 高信頼性で厳しい用途に対応

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }