CY14V101QS-SE108XQ

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CY14V101QS-SE108XQ
CY14V101QS-SE108XQ
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1024 kBit
  • インターフェース
    QSPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 105 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    108 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb × 8
  • 認定
    Industrial(Q)
  • 速度
    0 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CY14V101QS-SE108XQは、SRAMとSONOS不揮発性セルを組み合わせた1Mビット (128K×8) のクワッドSPI nvSRAMです。108 MHzのクロック周波数でSPI/DPI/QPIをサポートし、最大54 MB/秒の読み書き速度を実現します。AutoStoreは電源オフ時にSRAMの内容を不揮発性メモリに保存し、RECALLは電源オン時に復元します。STORE/RECALLは命令またはHSBピンによってもトリガーできます。VCCは2.7 V〜3.6 V、I/O電圧は1.71 V〜2.0 V、動作温度範囲は-40℃～105℃。

特長

  • 1 Mビット (128K × 8) nvSRAMアレイ
  • SPI/DPI/QPIインターフェース (最大108 MHz)
  • 0サイクル レイテンシでの40 MHz読み出し
  • 読み出し/書き込み帯域幅: 54 MBps
  • SPIモード0および3 (CPOL/CPHA)
  • バーストモードでの読み出し（ロールオーバーあり）
  • バーストモードでの書き込み（ロールオーバーあり）
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • 電源投入時に自動RECALL
  • ソフトウェアSTORE/RECALL命令
  • HSB経由のハードウェアSTOREとステータス
  • データ保持期間20年、書き込み回数（STORE）100 万回

利点

  • NVセーフティ機能を備えたSRAM速度アクセス
  • 108 MHzにより高速データ転送が可能
  • 0レイテンシー読み取りにより待機状態が削減されます
  • 54 MBpsは高スループットをサポートします
  • SPI 0/3による簡単なホストタイミング
  • バースト読み取りによるコマンドオーバーヘッドの削減
  • バースト書き込み速度ブロック更新
  • AutoStoreは停電時にも保護します
  • 電源投入時のデータRECALLでデータを素早く復元
  • ソフトウェアによる保存/復元でFWが簡素化
  • HSBピンによりハードウェア管理バックアップが有効になります
  • 長期保有はサービスニーズを削減します

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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