CY14V101QS-SE108XQ

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CY14V101QS-SE108XQ
CY14V101QS-SE108XQ
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製品仕様情報

  • Density
    1024 kBit
  • インターフェース
    QSPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 105 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    108 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb × 8
  • 認定
    Industrial(Q)
  • 速度
    0 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CY14V101QS-SE108XQは1 Mbit（128K×8）のQuad SPI nvSRAMで、SRAMとSONOS不揮発セルを統合。SPI/DPI/QPIに対応し、108 MHzクロックで最大54 MBpsの読み書きが可能。電源断でAutoStoreによりSRAM→不揮発へ保存し、電源投入でRECALL復元。STORE/RECALLは命令またはHSBピンでも実行可能。VCC 2.7～3.6 V、I/O 1.71～2.0 V、-40°C～105°C対応。

特長

  • 1 Mbit(128K×8) nvSRAM
  • SPI/DPI/QPI最大108 MHz
  • 40 MHz読出し待ち0
  • 読書込帯域54 MBps
  • SPIモード0/3対応
  • バースト読出し回巻
  • バースト書込み回巻
  • VCAPで電断AutoStore
  • 電源投入で自動RECALL
  • STORE/RECALL命令対応
  • HSBでHW STORE/状態
  • 85°Cで20年, STORE100万回

利点

  • SRAM速度と不揮発性を両立
  • 108 MHzで高速転送を実現
  • 待ち0で読出し遅延低減
  • 54 MBpsで高スループット
  • SPI 0/3で接続が容易
  • バースト読出しで命令削減
  • バースト書込みで更新高速化
  • 電断AutoStoreでデータ保護
  • 起動時にデータを高速復元
  • SW保存/復元でFW簡素化
  • HSBでHW管理バックアップ
  • 長期保持で保守負担を低減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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