CY14E116N-Z30XIT

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データシート

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CY14E116N-Z30XIT
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データシート

製品仕様情報

  • Density
    16384 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    30 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
CY14E116N-Z30XITは、1024K×16の構成で構成された16MビットのnvSRAMであり、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせたものです。動作電圧は4.5 V～5.5 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、30 nsのアクセス速度をサポートします。電源オフ時の自動STORE機能は外部VCAPコンデンサー (19.8 µF～82.0 µF) を使用し、電源オン時またはソフトウェア/HSBピンによるRECALLが可能です。データ保持期間は20年、STOREサイクル数は100万回と規定されている。

特長

  • 16 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
  • QuantumTrap不揮発性セル技術
  • QuantumTrapへのSTOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • SRAM読み出し/書き込み/RECALLは無制限
  • スリープモード電流: 最大10 μA
  • 電源投入時のRECALL時間: 30 ms
  • STOREサイクル時間: 8 ms
  • VCAPコンデンサ: 19.8 μF～82 μF

利点

  • 停電時にもデータを保持
  • 保持にはバッテリーは不要です
  • 柔軟な保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速再起動
  • 頻繁なセーブに対応する高い耐久性
  • SRAMへの書き込みによる摩耗なし
  • 保存データの長寿命
  • スリープは待機電力を削減
  • 10 µAのスリープは低消費電力システムに適しています
  • 予測可能なシャットダウンで時間を節約
  • シンプルなホールドアップキャップでデザインが簡単に
  • STORE/RECALL中はアクセスをブロックします

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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