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CY14E116N-Z30XI
生産終了
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RoHS対応

CY14E116N-Z30XI

生産終了
データシート
パッケージ

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CY14E116N-Z30XI
CY14E116N-Z30XI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    16384 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    30 ns
OPN
CY14E116N-Z30XI
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14E116N-Z30XIは、1024K×16の構成で、各セルにQuantumTrap不揮発性ストレージを備えた16MビットのnvSRAMです。動作電圧は4.5 V～5.5 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃で、電源オフ時には19.8 μF～82.0 µFのVCAPコンデンサーを使用して自動的にAutoStore機能が作動し、電源オン時またはソフトウェアによってRECALL機能が作動します。100万回のSTOREサイクル、無制限のSRAM読み書き、および20年間のデータ保持をサポートします。Z30は30 ns、48ピンTSOP Iです。

特長

  • 16 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
  • QuantumTrap不揮発性セル技術
  • QuantumTrapへのSTOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • SRAM読み出し/書き込み/RECALLは無制限
  • スリープモード電流: 最大10 μA
  • 電源投入時のRECALL時間: 30 ms
  • STOREサイクル時間: 8 ms
  • VCAPコンデンサ: 19.8 μF～82 μF

利点

  • 停電時にもデータを保持
  • 保持にはバッテリーは不要です
  • 柔軟な保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速再起動
  • 頻繁なセーブに対応する高い耐久性
  • SRAMへの書き込みによる摩耗なし
  • 保存データの長寿命
  • スリープは待機電力を削減
  • 10 µAのスリープは低消費電力システムに適しています
  • 予測可能なシャットダウンで時間を節約
  • シンプルなホールドアップキャップでデザインが簡単に
  • STORE/RECALL中はアクセスをブロックします

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ