CY14B256LA-SZ25XI

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データシート

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CY14B256LA-SZ25XI
CY14B256LA-SZ25XI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
CY14B256LA-SZ25XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性セルを組み合わせた256Kビット (32K×8) のnvSRAMで、バッテリーなしでデータを保持できます。25 nsのアクセス、61～180 µFのVCAPコンデンサーを使用した電源オフ時の自動STORE、および電源オン時またはソフトウェアによるRECALLをサポートしています。2.7 V～3.6 Vの電圧範囲で-40℃～+85℃の温度範囲で動作し、32ピンSOICパッケージで20年間のデータ保持期間と100万回のSTOREサイクルに対応しています。

特長

  • 32 K × 8並列SRAMインターフェース
  • セルごとのQuantumTrap不揮発性
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • HSBピン制御によるSTORE
  • 6回読み出しシーケンスによるSTORE/RECALL
  • 全セルの並列STORE/RECALL
  • 2.7 V～3.6 V単電源
  • 不揮発性STOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • SRAMの読み出し/書き込みサイクルは無制限
  • スタンバイ電流: 最大5 mA
  • 入力リーク電流: ±1 μA (非HSB)

利点

  • 電源喪失時のデータ自動保持
  • データバックアップにバッテリー不要
  • SRAMのようなシンプルなパラレルバス
  • 柔軟なSTORE制御オプション
  • ソフトウェアのみによる保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速復帰
  • 一般的な3 V電源レールに対応
  • 重要データの長期ログ記録
  • 20年間の設定データ保持
  • 無制限の実行時SRAM更新
  • スタンバイモード時の待機電力削減
  • リーク電流に敏感な設計の課題軽減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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