CY14B256I-SFXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14B256I-SFXIT

データシート
パッケージ

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CY14B256I-SFXIT
CY14B256I-SFXIT
データシート


製品仕様情報

  • Frequency
    3.4 MHz
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    I2C
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    256 kBit
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推奨
OPN
CY14B256I-SFXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
CY14B256I-SFXITは、100 kHz～3.4 MHzのI2Cインターフェースを使用する、リアルタイムクロックを内蔵した256Kビット (32K×8) のシリアルnvSRAMです。SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせ、電源オフ時のAutoStoreと電源オン時のRECALLに加え、ソフトウェアおよびHSBハードウェアによるSTOREをサポートしています。16ピンSOICパッケージで、-40℃～85℃の温度範囲で2.7 V～3.6 Vの電圧で動作し、20年間のデータ保持期間と100万回のSTOREサイクルを備えています。

特長

  • 256 KビットnvSRAM (32 K × 8)
  • 電源断時のAutoStore
  • I2C経由のソフトウェアSTORE/RECALL
  • HSBピン経由のハードウェアSTORE
  • 電源投入時のRECALLによりSRAMを復元
  • I2C: 最大3.4 MHz (Hsモード)
  • 3.4 MHz時の平均1 mA
  • スタンバイ電流: 最大250 μA
  • スリープモード電流: 最大8 μA
  • 85℃で20年間のデータ保持
  • QuantumTrapへのSTOREサイクル: 100万回
  • RTC: アラーム、WDT、SQW (1 Hz～32 kHz)

利点

  • 不揮発性データを使用したSRAMの速度
  • 停電時にデータを自動的に保存します
  • ファームウェアはNVの保存/復元を強制できます
  • ピン留めによる高速保存
  • 電源復旧後すぐに復元
  • 高速I2Cは高スループットバスに対応
  • 低アクティブ電流により消費電力が削減されます
  • 低待機電流で稼働時間を延長
  • スリープ電流はバッテリー設計をサポートします
  • 長期保存により保存されたデータが保護されます
  • 高い耐久性により摩耗の懸念が軽減されます
  • RTC機能は外部コンポーネントを削減します

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ