Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14B256I-SFXIT

データシート
パッケージ

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CY14B256I-SFXIT
CY14B256I-SFXIT
データシート

製品仕様情報

  • Density
    256 kBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    I2C
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    3.4 MHz
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY14B256I-SFXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B256I-SFXITは、100 kHz～3.4 MHzのI2Cインターフェースを使用する、リアルタイムクロックを内蔵した256Kビット (32K×8) のシリアルnvSRAMです。SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせ、電源オフ時のAutoStoreと電源オン時のRECALLに加え、ソフトウェアおよびHSBハードウェアによるSTOREをサポートしています。16ピンSOICパッケージで、-40℃～85℃の温度範囲で2.7 V～3.6 Vの電圧で動作し、20年間のデータ保持期間と100万回のSTOREサイクルを備えています。

特長

  • 256 Kbit nvSRAM（32K×8）
  • 電源断でAutoStore実行
  • I2CでSTORE/RECALL
  • HSBピンでHW STORE
  • 電源投入でRECALL復元
  • I2C最大3.4 MHz高速
  • 3.4 MHz時 平均1 mA
  • スタンバイ最大250 µA
  • スリープ最大8 µA
  • 85°Cでデータ保持20年
  • QuantumTrap 100万回STORE
  • RTC:アラーム/WDT/方形波

利点

  • 不揮発性データを使用したSRAMの速度
  • 停電時にデータを自動的に保存します
  • ファームウェアはNVの保存/復元を強制できます
  • ピン留めによる高速保存
  • 電源復旧後すぐに復元
  • 高速I2Cは高スループットバスに対応
  • 低アクティブ電流により消費電力が削減されます
  • 低待機電流で稼働時間を延長
  • スリープ電流はバッテリー設計をサポートします
  • 長期保存により保存されたデータが保護されます
  • 高い耐久性により摩耗の懸念が軽減されます
  • RTC機能は外部コンポーネントを削減します

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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