Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14B116N-ZSP45XI

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B116N-ZSP45XI
CY14B116N-ZSP45XI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY14B116N-ZSP45XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 1080
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 1080
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B116N-ZSP45XIは、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた16MビットのnvSRAM (1024K×16) です。本製品は、-40℃～+85℃の温度範囲で2.7 V～3.6 Vの電圧で動作し、電源オフ時に自動STOREされ、電源オン時にRECALLされます。STORE/RECALLは、ソフトウェアまたはHSBピンによって開始することもできます。100万回のSTOREサイクルと20年間のデータ保持性能を備え、45 nsのアクセス速度を持つ54ピンTSOP IIパッケージで提供されます。

特長

  • 16-Mbit nvSRAM SRAM互換
  • 電源断でVCAP自動STORE
  • STOREはSWまたはHSB
  • RECALLはSWまたは起動時
  • QuantumTrap不揮発セル
  • QuantumTrap STORE 100万回
  • データ保持20年
  • SRAM R/W/RECALL無制限
  • スリープ電流最大10 µA
  • 起動時RECALL 30 ms
  • STOREサイクル8 ms
  • VCAP容量19.8-82 µF

利点

  • 電源喪失時のデータ保持
  • データ保持にバッテリー不要
  • 柔軟な保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速再起動
  • 頻繁な保存操作に対応する高いSTORE耐久性
  • SRAM書き込みによる摩耗なし
  • 保存データの長寿命
  • スリープによる待機時消費電力削減
  • 10 µAスリープ対応の低消費電力システム
  • 予測可能なシャットダウン時保存時間
  • シンプルなホールドアップコンデンサーによる設計容易化
  • STORE/RECALL中のアクセス遮断

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }