CY14B116N-Z30XI

データシート

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CY14B116N-Z30XI
CY14B116N-Z30XI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    16384 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    30 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CY14B116N-Z30XIは、1024K×16の構成を持つ16MビットのnvSRAMで、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせたものです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃で、30 nsのアクセス速度をサポートします。100万回のSTOREサイクルと20年間のデータ保持期間を提供します。データは、19.8〜82.0 µFのVCAPコンデンサーを使用して電源切断時に自動的にSTOREされ、電源投入時にソフトウェアまたはHSBピン制御によってRECALLされる。

特長

  • 16-Mbit nvSRAM SRAM互換
  • 電源断でVCAP自動STORE
  • STOREはSWまたはHSB
  • RECALLはSWまたは起動時
  • QuantumTrap不揮発セル
  • QuantumTrap STORE 100万回
  • データ保持20年
  • SRAM R/W/RECALL無制限
  • スリープ電流最大10 µA
  • 起動時RECALL 30 ms
  • STOREサイクル8 ms
  • VCAP容量19.8-82 µF

利点

  • 電源喪失時のデータ保持
  • データ保持にバッテリー不要
  • 柔軟な保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速再起動
  • 頻繁な保存操作に対応する高いSTORE耐久性
  • SRAM書き込みによる摩耗なし
  • 保存データの長寿命
  • スリープによる待機時消費電力削減
  • 10 µAスリープ対応の低消費電力システム
  • 予測可能なシャットダウン時保存時間
  • シンプルなホールドアップコンデンサーによる設計容易化
  • STORE/RECALL中のアクセス遮断

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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