CY14B116N-Z30XI

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CY14B116N-Z30XI
CY14B116N-Z30XI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    16384 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    30 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CY14B116N-Z30XIは16-Mbit nvSRAM（1024K×16）で、SRAMにQuantumTrap不揮発要素を統合。2.7 V～3.6 V、–40°C～+85°Cで動作し、30 nsアクセスに対応。STOREは100万回、データ保持20年。19.8～82.0 µFのVCAPで電源断時に自動STORE、投入時に自動RECALLし、ソフトウェアまたはHSBピンで制御可能。

特長

  • 16-Mbit nvSRAM SRAM互換
  • 電源断でVCAP自動STORE
  • STOREはSWまたはHSB
  • RECALLはSWまたは起動時
  • QuantumTrap不揮発セル
  • QuantumTrap STORE 100万回
  • データ保持20年
  • SRAM R/W/RECALL無制限
  • スリープ電流最大10 µA
  • 起動時RECALL 30 ms
  • STOREサイクル8 ms
  • VCAP容量19.8-82 µF

利点

  • 停電でもデータ保持
  • 電池不要でデータ保持
  • 保存/復元の制御が柔軟
  • 復電後すばやく再起動
  • 頻繁な保存でも高耐久
  • SRAM書込みで劣化しない
  • 保存データを長期維持
  • スリープで待機電力低減
  • 10 µAで低電力機器向け
  • 終了時の保存時間が確定
  • ホールド用Cで設計簡単
  • STORE/RECALL中のアクセス禁止

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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